Name: SSD 8TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP8T0BW)
Brand: SAMSUNG
Price: 999.99 EUR
Availability: InStock

Tehnične podrobnosti

Vodilo	PCI-e
Format diska	M.2
Vrsta diska	Vgradni

Opis izdelka

SSD disk model: SSD 8TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP8T0BW) je prava izbira za izboljšavo računalnika, saj je izredno zmogljiv in zanesljiv.

Zagotavlja nizke čase zagona operacijskega sistema ter programske opreme, hkrati pa omogoča hiter prenos podatkov iz vašega SSD diska na računalnik. SSD diski omogočajo varno shrambo podatkov pri visokih hitrostih, ta pa ostane konstantna tudi pod težkimi delovnimi obremenitvami. Izberite kakovosten SSD disk saj stane hitrosti prenosa ostanejo konstantne tudi pod težko obremenitvijo.

SSD disk, je osnovan na napredni arhitekturi in ki uporablja sodobne principe za učinkovitejšo komunikacijo s sistemom in je še posebej primeren za naloge, pri katerih je pomembna hitra obdelava podatkov

Na izbranem SSD je mogoče shraniti za podatkov. S hitrim SSD diskom boste pohitrili procese na vašem računalniku. SSD disk s hitrim branjem bo definitivno pohitril procese na vašem računalniku.

Podroben opis

PCIe 5.0 HITROSTI

Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.

SPOZNAJTE HITROST

Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje. ^{(*odvisno od kapacitete)}

ŠIROKA KOMPATIBILNOST

9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.

HLADEN IN HITER

Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.

Specifikacije

Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
Oblika: M.2 2280
NAND: Samsung V NAND TLC
Kontroler: Samsung
Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
Kapaciteta: 8 TB
Hitrost sekvenčnega branja: 14.800 MB/s
Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.400 MB/s
Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 2200K
Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
Napajanje:
- Aktivno: 10.5 W / 8.8 W
- V mirovanju: 8.6 mW
Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)